Produkte > ONSEMI > NTMFS6H824NT1G
NTMFS6H824NT1G

NTMFS6H824NT1G onsemi

ntmfs6h824n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.29 EUR
3000+1.22 EUR
7500+1.18 EUR
10500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTMFS6H824NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote NTMFS6H824NT1G nach Preis ab 0.83 EUR bis 2.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs6h824n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+1.38 EUR
112+1.24 EUR
129+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs6h824n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
96+1.56 EUR
109+1.33 EUR
112+1.19 EUR
129+1.00 EUR
250+0.95 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs6h824n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G Hersteller : onsemi NTMFS6H824N_D-2905899.pdf MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 103A, 4.5mohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.69 EUR
10+2.20 EUR
100+1.76 EUR
250+1.63 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
1500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G Hersteller : onsemi ntmfs6h824n-d.pdf Description: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
auf Bestellung 37470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.71 EUR
10+2.25 EUR
100+1.79 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G Hersteller : ONSEMI ntmfs6h824n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G Hersteller : ONSEMI ntmfs6h824n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs6h824n-d.pdf Single N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H824NT1G Hersteller : ONSEMI ntmfs6h824n-d.pdf NTMFS6H824NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH