NTMFS6H836NT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1500+ | 1.48 EUR |
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Technische Details NTMFS6H836NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 89W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS6H836NT1G nach Preis ab 0.92 EUR bis 3.12 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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NTMFS6H836NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs T8 80V SO8FL |
auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS6H836NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS6H836NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS6H836NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 89W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS6H836NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTMFS6H836NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS6H836NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS6H836NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
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| NTMFS6H836NT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTMFS6H836NT1G SMD N channel transistors |
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