NTMFS7D8N10GTWG onsemi
Hersteller: onsemiDescription: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 254µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
auf Bestellung 2856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.53 EUR |
| 10+ | 4.45 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| 500+ | 3.05 EUR |
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Technische Details NTMFS7D8N10GTWG onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 187W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTMFS7D8N10GTWG nach Preis ab 2.66 EUR bis 6.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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NTMFS7D8N10GTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS7D8N10GTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 187W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS7D8N10GTWG | Hersteller : onsemi |
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 110A, 7.6mohm |
auf Bestellung 11750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMFS7D8N10GTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP Reel |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS7D8N10GTWG | Hersteller : onsemi |
Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 254µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V |
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