NTMFS7D8N10GTWG onsemi
Hersteller: onsemi
Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 254µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.53 EUR |
| 10+ | 4.45 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| 500+ | 3.05 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTMFS7D8N10GTWG onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 187W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 187W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm.
Weitere Produktangebote NTMFS7D8N10GTWG nach Preis ab 2.92 EUR bis 7.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS7D8N10GTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 187W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
|
NTMFS7D8N10GTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 187W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 187W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMFS7D8N10GTWG | onsemi |
MOSFETs 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE |
auf Bestellung 7651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
| NTMFS7D8N10GTWG | ONN |
|
auf Bestellung 1684 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMFS7D8N10GTWG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS7D8N10GTWG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTMFS7D8N10GTWG |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE
MOSFETs 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE
auf Bestellung 7651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.9 EUR |
| 10+ | 5.14 EUR |
| 100+ | 4.03 EUR |
| 500+ | 3.38 EUR |
| 1000+ | 3.13 EUR |
| 3000+ | 2.92 EUR |
| NTMFS7D8N10GTWG |
![]() |
Hersteller: ONN
auf Bestellung 1684 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

