NTMFSC010N08M7 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
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Technische Details NTMFSC010N08M7 onsemi
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 78.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78.1W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTMFSC010N08M7 nach Preis ab 1.02 EUR bis 2.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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NTMFSC010N08M7 | onsemi |
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V |
auf Bestellung 3499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFSC010N08M7 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 78.1W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTMFSC010N08M7 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 78.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 78.1W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| NTMFSC010N08M7 | onsemi |
MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, 61A, 10mohm N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench? MOSFET 80 V, 61 A, 10 m? |
auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMFSC010N08M7 | ONN |
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auf Bestellung 1972 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMFSC010N08M7 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 2.02 EUR |
| 100+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| NTMFSC010N08M7 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFSC010N08M7 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 78.1W
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFSC010N08M7 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, 61A, 10mohm N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench? MOSFET 80 V, 61 A, 10 m?
MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, 61A, 10mohm N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench? MOSFET 80 V, 61 A, 10 m?
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 2.85 EUR |
| 10+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| NTMFSC010N08M7 |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 1972 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)