Produkte > ONSEMI > NTMFSC010N08M7
NTMFSC010N08M7

NTMFSC010N08M7 onsemi


ntmfsc010n08m7-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTMFSC010N08M7 onsemi

Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 0.0076 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 78.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78.1W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote NTMFSC010N08M7 nach Preis ab 1.02 EUR bis 2.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTMFSC010N08M7 NTMFSC010N08M7 Hersteller : onsemi ntmfsc010n08m7-d.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
auf Bestellung 3499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.64 EUR
10+2.02 EUR
100+1.51 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC010N08M7 NTMFSC010N08M7 Hersteller : ONSEMI 3213452.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 0.0076 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC010N08M7 NTMFSC010N08M7 Hersteller : ONSEMI 3213452.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 0.0076 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC010N08M7 Hersteller : onsemi ntmfsc010n08m7-d.pdf MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, 61A, 10mohm N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench? MOSFET 80 V, 61 A, 10 m?
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.85 EUR
10+1.49 EUR
100+1.14 EUR
500+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC010N08M7 NTMFSC010N08M7 Hersteller : ON Semiconductor ntmfsc010n08m7-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A Reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFSC010N08M7 Hersteller : ONSEMI ntmfsc010n08m7-d.pdf NTMFSC010N08M7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH