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Technische Details NTMFSC1D6N06CL onsemi
Description: ONSEMI - NTMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 235 A, 0.0015 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 235A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 166W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTMFSC1D6N06CL nach Preis ab 1.43 EUR bis 4.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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NTMFSC1D6N06CL | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V |
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NTMFSC1D6N06CL | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 235 A, 0.0015 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 235A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NTMFSC1D6N06CL | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 235 A, 0.0015 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 235A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 166W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| NTMFSC1D6N06CL | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 235A; Idm: 900A; 166W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 235A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 166W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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NTMFSC1D6N06CL | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V |
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| NTMFSC1D6N06CL | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 235A; Idm: 900A; 166W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 235A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 166W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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