NTMFSC4D2N10MC onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
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Technische Details NTMFSC4D2N10MC onsemi
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 122W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm.
Weitere Produktangebote NTMFSC4D2N10MC nach Preis ab 2.32 EUR bis 9.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTMFSC4D2N10MC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R |
auf Bestellung 2908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFSC4D2N10MC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R |
auf Bestellung 2908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFSC4D2N10MC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFSC4D2N10MC | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFSC4D2N10MC | onsemi |
MOSFETs 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL |
auf Bestellung 1576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFSC4D2N10MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 122W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NTMFSC4D2N10MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 122W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMFSC4D2N10MC |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.22 EUR |
| 58+ | 2.89 EUR |
| 100+ | 2.81 EUR |
| 250+ | 2.76 EUR |
| 500+ | 2.71 EUR |
| 1000+ | 2.64 EUR |
| NTMFSC4D2N10MC |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.22 EUR |
| 58+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 2.67 EUR |
| 250+ | 2.55 EUR |
| 500+ | 2.44 EUR |
| 1000+ | 2.32 EUR |
| NTMFSC4D2N10MC |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3000+ | 4.13 EUR |
| NTMFSC4D2N10MC |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
auf Bestellung 3158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 8.46 EUR |
| 10+ | 5.59 EUR |
| 100+ | 3.97 EUR |
| 500+ | 3.7 EUR |
| NTMFSC4D2N10MC |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL
MOSFETs 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL
auf Bestellung 1576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.32 EUR |
| 10+ | 5.57 EUR |
| 100+ | 4.3 EUR |
| NTMFSC4D2N10MC |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 122W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 122W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFSC4D2N10MC |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 122W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 122W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)