auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.97 EUR |
| 10+ | 4.91 EUR |
| 25+ | 4.89 EUR |
| 100+ | 3.75 EUR |
| 500+ | 3.22 EUR |
| 3000+ | 2.80 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTMJS1D4N06CLTWG onsemi
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 0.00107 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 262A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00107ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTMJS1D4N06CLTWG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMJS1D4N06CLTWG | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 0.00107 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 262A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00107ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
NTMJS1D4N06CLTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 0.00107 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 262A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00107ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
NTMJS1D4N06CLTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin LFPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| NTMJS1D4N06CLTWG | Hersteller : ONSEMI |
NTMJS1D4N06CLTWG SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
NTMJS1D4N06CLTWG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA Supplier Device Package: 8-LFPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
NTMJS1D4N06CLTWG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA Supplier Device Package: 8-LFPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |