NTMJS1D4N06CLTWG onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details NTMJS1D4N06CLTWG onsemi
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 262A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTMJS1D4N06CLTWG nach Preis ab 2.03 EUR bis 6.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTMJS1D4N06CLTWG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-LFPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMJS1D4N06CLTWG | onsemi |
MOSFETs T6 60V LL LFPAK |
auf Bestellung 1476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMJS1D4N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 262A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NTMJS1D4N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 262A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMJS1D4N06CLTWG | ONN |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMJS1D4N06CLTWG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
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| 1000+ | 2.21 EUR |
| NTMJS1D4N06CLTWG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V LL LFPAK
MOSFETs T6 60V LL LFPAK
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| 1+ | 6.45 EUR |
| 10+ | 4.19 EUR |
| 100+ | 3.25 EUR |
| 500+ | 2.34 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| 3000+ | 2.03 EUR |
| NTMJS1D4N06CLTWG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| NTMJS1D4N06CLTWG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4634 Stücke:
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| NTMJS1D4N06CLTWG |
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Hersteller: ONN
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