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NTMS10P02R2G

NTMS10P02R2G onsemi

ntms10p02r2-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 32500 Stücke:
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2500+1.39 EUR
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Technische Details NTMS10P02R2G onsemi

Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G onsemi ntms10p02r2-d.pdf MOSFETs 20V 10A P-Channel
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.13 EUR
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NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G ONSEMI ONSM-S-A0013300133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
81+2.88 EUR
112+1.92 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.48 EUR
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G onsemi ntms10p02r2-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 33448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.81 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G ON Semiconductor ntms10p02r2-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
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NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G ON Semiconductor ntms10p02r2-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMS10P02R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NTMS10P02R2G
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
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Hersteller: ONN
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