NTMS10P02R2G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.15 EUR |
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Technische Details NTMS10P02R2G onsemi
Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTMS10P02R2G nach Preis ab 1.15 EUR bis 4.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTMS10P02R2G | onsemi |
MOSFETs 20V 10A P-Channel |
auf Bestellung 6949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMS10P02R2G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMS10P02R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMS10P02R2G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NTMS10P02R2G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMS10P02R2G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 20V 10A P-Channel
MOSFETs 20V 10A P-Channel
auf Bestellung 6949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4 EUR |
| 10+ | 1.93 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.37 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| 2500+ | 1.15 EUR |
| NTMS10P02R2G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
Description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4.06 EUR |
| 10+ | 2.59 EUR |
| 50+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| NTMS10P02R2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 4.43 EUR |
| 81+ | 2.88 EUR |
| 112+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| 1000+ | 1.48 EUR |
| 5000+ | 1.37 EUR |
| NTMS10P02R2G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMS10P02R2G |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)