NTMS4177PR2G ON Semiconductor
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Technische Details NTMS4177PR2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTMS4177PR2G nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 25602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V |
auf Bestellung 6763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PFET SO8 30V 9.6A TR |
auf Bestellung 22239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMS4177PR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMS4177PR2G |
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| NTMS4177PR2G | Hersteller : ONSEMI |
NTMS4177PR2G SMD P channel transistors |
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