NTMS4816NR2G. ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMS4816NR2G. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.04W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.04W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).