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NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1 ON Semiconductor

ntmt045n065sc1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin TDFN EP T/R
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Technische Details NTMT045N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN, tariffCode: 85414900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 187W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 onsemi ntmt045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+11.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 onsemi ntmt045n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS PQFN88 650V
auf Bestellung 5818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.71 EUR
10+16.42 EUR
100+13.64 EUR
1000+12.9 EUR
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NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 onsemi ntmt045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
auf Bestellung 6516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.61 EUR
10+17.16 EUR
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NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 ONSEMI NTMT045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.08 EUR
50+18.2 EUR
100+13.95 EUR
500+13.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 ONSEMI NTMT045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 1134 Stücke:
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10+27.08 EUR
50+18.2 EUR
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NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1 ONSEMI ONSM-S-A0017264750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - MOSFET Module Configuration:-
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 348 Stücke:
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25+27.77 EUR
50+24.68 EUR
100+23.67 EUR
250+22.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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NTMT045N065SC1 ntmt045n065sc1-d.pdf
NTMT045N065SC1
Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
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Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
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NTMT045N065SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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10+27.08 EUR
50+18.2 EUR
100+13.95 EUR
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NTMT045N065SC1 NTMT045N065SC1-D.PDF
NTMT045N065SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
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10+27.08 EUR
50+18.2 EUR
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NTMT045N065SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - MOSFET Module Configuration:-
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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auf Bestellung 348 Stücke:
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