NTMT150N65S3HF onsemi
Hersteller: onsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 24 A, 150 mohm, Power88
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 9.22 EUR |
| 10+ | 5.91 EUR |
| 100+ | 5.68 EUR |
| 500+ | 5.67 EUR |
| 1000+ | 5.21 EUR |
| 3000+ | 4.82 EUR |
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Technische Details NTMT150N65S3HF onsemi
Description: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 192W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.121ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTMT150N65S3HF nach Preis ab 5.59 EUR bis 10.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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NTMT150N65S3HF | Hersteller : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V |
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NTMT150N65S3HF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NTMT150N65S3HF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 192W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.121ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMT150N65S3HF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMT150N65S3HF | Hersteller : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V |
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