Technische Details NTMTS0D4N04CTXG ONN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 558A; Idm: 900A; 122W; Power88, Drain current: 558A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: Power88, On-state resistance: 450µΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 122W, Gate charge: 251nC, Polarisation: unipolar.
Weitere Produktangebote NTMTS0D4N04CTXG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NTMTS0D4N04CTXG | ON Semiconductor |
 MOSFET AFSM T6 40V SG NCH |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMTS0D4N04CTXG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMTS0D4N04CTXG | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 558A; Idm: 900A; 122W; Power88 Drain current: 558A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: Power88 On-state resistance: 450µΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 122W Gate charge: 251nC Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NTMTS0D4N04CTXG | ON Semiconductor | Single N Channel Power MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMTS0D4N04CTXG |
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Hersteller: ON Semiconductor
MOSFET AFSM T6 40V SG NCH
MOSFET AFSM T6 40V SG NCH
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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| NTMTS0D4N04CTXG |
Hersteller: onsemi
MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
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| NTMTS0D4N04CTXG |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 558A; Idm: 900A; 122W; Power88
Drain current: 558A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power88
On-state resistance: 450µΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122W
Gate charge: 251nC
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 558A; Idm: 900A; 122W; Power88
Drain current: 558A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power88
On-state resistance: 450µΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122W
Gate charge: 251nC
Polarisation: unipolar
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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| NTMTS0D4N04CTXG |
Hersteller: ON Semiconductor
Single N Channel Power MOSFET
Single N Channel Power MOSFET
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