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NTMTS0D6N04CLTXG

NTMTS0D6N04CLTXG onsemi

ntmts0d6n04cl-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 554.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
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Technische Details NTMTS0D6N04CLTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 554.5A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V.

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NTMTS0D6N04CLTXG NTMTS0D6N04CLTXG Hersteller : onsemi NTMTS0D6N04CL_D-2318903.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 554.5A, 0.42mohm, PQFN 8x8
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NTMTS0D6N04CLTXG NTMTS0D6N04CLTXG Hersteller : onsemi ntmts0d6n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 554.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
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NTMTS0D6N04CLTXG NTMTS0D6N04CLTXG Hersteller : ON Semiconductor ntmts0d6n04cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 78.9A 8-Pin DFNW EP T/R
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