NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
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Technische Details NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 267A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: DFNW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTMTSC1D6N10MCTXG nach Preis ab 5.65 EUR bis 15.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NTMTSC1D6N10MCTXG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 64450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMTSC1D6N10MCTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMTSC1D6N10MCTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMTSC1D6N10MCTXG | onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 367A, 1.7mohm |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMTSC1D6N10MCTXG | ONN |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMTSC1D6N10MCTXG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 13.15 EUR |
| 10+ | 8.89 EUR |
| 100+ | 6.68 EUR |
| NTMTSC1D6N10MCTXG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 267A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFNW
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 15.29 EUR |
| 21+ | 11.35 EUR |
| 100+ | 8.48 EUR |
| 500+ | 7.31 EUR |
| 1000+ | 6.47 EUR |
| NTMTSC1D6N10MCTXG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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| 17+ | 15.29 EUR |
| 21+ | 11.35 EUR |
| 100+ | 8.48 EUR |
| 500+ | 7.31 EUR |
| 1000+ | 6.47 EUR |
| NTMTSC1D6N10MCTXG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 367A, 1.7mohm
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 367A, 1.7mohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.32 EUR |
| 10+ | 8.85 EUR |
| 100+ | 6.66 EUR |
| 1000+ | 6.47 EUR |
| 3000+ | 5.65 EUR |
| NTMTSC1D6N10MCTXG |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)