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NTMTSC4D3N15MC

NTMTSC4D3N15MC onsemi

NTMTSC4D3N15MC_D-2319006.pdf Hersteller: onsemi
MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL COOL FOR INDUSTRIAL
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Technische Details NTMTSC4D3N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 293W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 293W, Bauform - Transistor: TDFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Hersteller : onsemi ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
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NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Hersteller : ONSEMI 3213458.pdf Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Hersteller : ONSEMI 3213458.pdf Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Hersteller : ON Semiconductor ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A T/R
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NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Hersteller : ON Semiconductor ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A 8-Pin TDFNW EP T/R
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NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Hersteller : ON Semiconductor ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A 8-Pin TDFNW EP T/R
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NTMTSC4D3N15MC Hersteller : ONSEMI ntmtsc4d3n15mc-d.pdf NTMTSC4D3N15MC SMD N channel transistors
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NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Hersteller : onsemi ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
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