NTMTSC4D3N15MC onsemi
Hersteller: onsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 4.39 EUR |
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Technische Details NTMTSC4D3N15MC onsemi
Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 293W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 293W, Bauform - Transistor: TDFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMTSC4D3N15MC nach Preis ab 4.58 EUR bis 9.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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NTMTSC4D3N15MC | Hersteller : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 150V, 174A, 4.45mohm |
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NTMTSC4D3N15MC | Hersteller : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V |
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NTMTSC4D3N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 293W Bauform - Transistor: TDFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NTMTSC4D3N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 293W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 293W Bauform - Transistor: TDFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMTSC4D3N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMTSC4D3N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 8-Pin TDFNW EP T/R |
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NTMTSC4D3N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 8-Pin TDFNW EP T/R |
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| NTMTSC4D3N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; Idm: 900A; 293W; TDFNW8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Power dissipation: 293W Drain current: 174A Gate charge: 79nC Case: TDFNW8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 900A Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| NTMTSC4D3N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; Idm: 900A; 293W; TDFNW8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Power dissipation: 293W Drain current: 174A Gate charge: 79nC Case: TDFNW8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 900A Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.45mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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