NTMYS003N08LHTWG ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.13 EUR |
| 500+ | 2.73 EUR |
| 1000+ | 2.65 EUR |
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Technische Details NTMYS003N08LHTWG ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 137W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.
Weitere Produktangebote NTMYS003N08LHTWG nach Preis ab 2.65 EUR bis 7.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTMYS003N08LHTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 132A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 137W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMYS003N08LHTWG | onsemi |
MOSFETs T8 80V LL LFPAK |
auf Bestellung 2196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMYS003N08LHTWG | onsemi |
Description: T8 80V LL LFPAK |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMYS003N08LHTWG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 6.05 EUR |
| 54+ | 4.37 EUR |
| 100+ | 3.13 EUR |
| 500+ | 2.73 EUR |
| 1000+ | 2.65 EUR |
| NTMYS003N08LHTWG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs T8 80V LL LFPAK
MOSFETs T8 80V LL LFPAK
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.79 EUR |
| 10+ | 5.09 EUR |
| 100+ | 3.8 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| 1000+ | 2.95 EUR |
| 3000+ | 2.76 EUR |
| NTMYS003N08LHTWG |
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Hersteller: onsemi
Description: T8 80V LL LFPAK
Description: T8 80V LL LFPAK
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 7.9 EUR |
| 10+ | 5.19 EUR |
| 50+ | 4.02 EUR |
| 100+ | 3.64 EUR |
| 500+ | 3.05 EUR |