NTMYS003N08LHTWG onsemi
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.83 EUR |
| 10+ | 3.2 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 2.15 EUR |
| 1000+ | 2.11 EUR |
| 3000+ | 1.97 EUR |
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Technische Details NTMYS003N08LHTWG onsemi
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTMYS003N08LHTWG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTMYS003N08LHTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 132A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NTMYS003N08LHTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 132A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |