NTMYS003N08LHTWG onsemi
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.83 EUR |
| 10+ | 3.2 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 2.15 EUR |
| 1000+ | 2.11 EUR |
| 3000+ | 1.97 EUR |
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Technische Details NTMYS003N08LHTWG onsemi
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 137W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.
Weitere Produktangebote NTMYS003N08LHTWG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTMYS003N08LHTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 132A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 137W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMYS003N08LHTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 132A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 137W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMYS003N08LHTWG |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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| NTMYS003N08LHTWG |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH