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Technische Details NTNS3190NZT5G onsemi
Description: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: XLLGA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTNS3190NZT5G
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Preis |
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NTNS3190NZT5G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: XLLGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NTNS3190NZT5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: XLLGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NTNS3190NZT5G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 120mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V |
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NTNS3190NZT5G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 120mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V |
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