NTP082N65S3HF onsemi
Hersteller: onsemiMOSFETs MOSFET, Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET,650 V, 40 A, 82 mohm, TO-220
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| Anzahl | Preis |
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| 500+ | 6.23 EUR |
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Technische Details NTP082N65S3HF onsemi
Description: ONSEMI - NTP082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTP082N65S3HF nach Preis ab 6.49 EUR bis 8.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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NTP082N65S3HF | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V |
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NTP082N65S3HF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NTP082N65S3HF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A Tube |
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