NTP110N65S3HF ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.17 EUR |
| 27+ | 8.75 EUR |
| 31+ | 6.99 EUR |
| 100+ | 5.87 EUR |
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Technische Details NTP110N65S3HF ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTP110N65S3HF nach Preis ab 5.63 EUR bis 14.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NTP110N65S3HF | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V |
auf Bestellung 30175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP110N65S3HF | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO220 |
auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP110N65S3HF | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTP110N65S3HF |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
auf Bestellung 30175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.51 EUR |
| 50+ | 7.27 EUR |
| 100+ | 6.68 EUR |
| 500+ | 5.63 EUR |
| NTP110N65S3HF |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO220
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO220
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.93 EUR |
| 10+ | 10 EUR |
| 100+ | 8.04 EUR |
| 500+ | 7.14 EUR |
| 1000+ | 6.33 EUR |
| NTP110N65S3HF |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)