NTP165N65S3H ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Drain current: 19A
Power dissipation: 142W
Pulsed drain current: 53A
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 18+ | 4.2 EUR |
| 20+ | 3.72 EUR |
| 21+ | 3.52 EUR |
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Technische Details NTP165N65S3H ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP165N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.132 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FAST, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTP165N65S3H nach Preis ab 3.01 EUR bis 5.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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NTP165N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 35nC Drain current: 19A Power dissipation: 142W Pulsed drain current: 53A Gate-source voltage: ±30V |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTP165N65S3H | Hersteller : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.6mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 400 V |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP165N65S3H | Hersteller : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220 |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP165N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP165N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.132 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FAST productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTP165N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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NTP165N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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NTP165N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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