NTP360N80S3Z ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.52 EUR |
| 21+ | 3.46 EUR |
| 23+ | 3.13 EUR |
| 26+ | 2.77 EUR |
| 50+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 2.52 EUR |
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Technische Details NTP360N80S3Z ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTP360N80S3Z nach Preis ab 2.45 EUR bis 6.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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NTP360N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Pulsed drain current: 32.5A Power dissipation: 96W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 25.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTP360N80S3Z | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V |
auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP360N80S3Z | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SF3 800V 360MOHM TO-220 |
auf Bestellung 607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP360N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP360N80S3Z | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |