NTP360N80S3Z onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis |
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| 167+ | 2.9 EUR |
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Technische Details NTP360N80S3Z onsemi
Description: ONSEMI - NTP360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTP360N80S3Z nach Preis ab 2.51 EUR bis 6.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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NTP360N80S3Z | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP360N80S3Z | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SF3 800V 360MOHM, TO-220 |
auf Bestellung 627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP360N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP360N80S3Z | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NTP360N80S3Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTP360N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
NTP360N80S3Z THT N channel transistors |
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