auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.77 EUR |
| 10+ | 2.46 EUR |
| 100+ | 2.08 EUR |
| 250+ | 2.04 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTP6412ANG onsemi
Description: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTP6412ANG nach Preis ab 2.42 EUR bis 4.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTP6412ANG | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
NTP6412ANG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
| NTP6412ANG | Hersteller : ONSEMI |
NTP6412ANG THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |