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NTP7D3N15MC

NTP7D3N15MC ON Semiconductor

ntp7d3n15mcd.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details NTP7D3N15MC ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTP7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 6200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 166W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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NTP7D3N15MC NTP7D3N15MC onsemi ntp7d3n15mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 12.1/101A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V
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NTP7D3N15MC NTP7D3N15MC ONSEMI ONSM-S-A0014832379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTP7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 6200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
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NTP7D3N15MC onsemi ntp7d3n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
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Trans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V
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NTP7D3N15MC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 6200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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22+11.38 EUR
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100+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
auf Bestellung 121 Stücke:
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auf Bestellung 750 Stücke:
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