NTP7D3N15MC ON Semiconductor
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| 800+ | 2.87 EUR |
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Technische Details NTP7D3N15MC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTP7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 6200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTP7D3N15MC nach Preis ab 2.68 EUR bis 5.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTP7D3N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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NTP7D3N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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NTP7D3N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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NTP7D3N15MC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 12.1/101A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V |
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NTP7D3N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 6200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| NTP7D3N15MC | Hersteller : onsemi |
MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A |
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| NTP7D3N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
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| NTP7D3N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
PTNG 150V N-FET TO220 |
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NTP7D3N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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NTP7D3N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 12.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| NTP7D3N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 101A; Idm: 574A; 166W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 101A Pulsed drain current: 574A Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NTP7D3N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 101A; Idm: 574A; 166W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 101A Pulsed drain current: 574A Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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