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Technische Details NTPF082N65S3F onsemi
Description: ONSEMI - NTPF082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTPF082N65S3F nach Preis ab 5.5 EUR bis 6.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTPF082N65S3F | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 400 V |
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NTPF082N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTPF082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| NTPF082N65S3F | Hersteller : ON Semiconductor |
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| NTPF082N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 100A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 82mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTPF082N65S3F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTPF082N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 100A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 82mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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