NTPF165N65S3H onsemi
Hersteller: onsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F
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| 500+ | 3.27 EUR |
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Technische Details NTPF165N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTPF165N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.165 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTPF165N65S3H nach Preis ab 3.33 EUR bis 8.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTPF165N65S3H | Hersteller : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.6mA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 400 V |
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NTPF165N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTPF165N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.165 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| NTPF165N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| NTPF165N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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