NTPF190N65S3H onsemi
Hersteller: onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.36 EUR |
| 50+ | 4.56 EUR |
| 100+ | 4.29 EUR |
| 500+ | 3.56 EUR |
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Technische Details NTPF190N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTPF190N65S3H nach Preis ab 3.68 EUR bis 7.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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NTPF190N65S3H | Hersteller : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 16 A, 190 mohm, TO220F |
auf Bestellung 528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTPF190N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTPF190N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTPF190N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTPF190N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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