auf Bestellung 3769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.24 EUR |
| 10+ | 2.32 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTPF450N80S3Z onsemi
Description: ONSEMI - NTPF450N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29.5W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTPF450N80S3Z nach Preis ab 2.29 EUR bis 3.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTPF450N80S3Z | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 240µA Supplier Device Package: TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 400 V |
auf Bestellung 2928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
NTPF450N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTPF450N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 29.5W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |