NTR0202PLT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -400mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.18nC
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Technische Details NTR0202PLT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTR0202PLT1G nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTR0202PLT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR0202PLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR0202PLT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 18079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR0202PLT1G | onsemi |
MOSFETs -20V -400mA P-Channel |
auf Bestellung 98024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR0202PLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 16434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR0202PLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 17614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTR0202PLT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| 9000+ | 0.18 EUR |
| NTR0202PLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 9000+ | 0.23 EUR |
| NTR0202PLT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 18079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 0.8 EUR |
| 35+ | 0.62 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| NTR0202PLT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs -20V -400mA P-Channel
MOSFETs -20V -400mA P-Channel
auf Bestellung 98024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.06 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| NTR0202PLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 233+ | 1.08 EUR |
| 307+ | 0.76 EUR |
| 481+ | 0.44 EUR |
| 637+ | 0.33 EUR |
| 1500+ | 0.3 EUR |
| NTR0202PLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 210+ | 1.19 EUR |
| 314+ | 0.74 EUR |
| 607+ | 0.36 EUR |
| 654+ | 0.33 EUR |
| 1500+ | 0.29 EUR |





