NTR0202PLT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details NTR0202PLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTR0202PLT1G nach Preis ab 0.28 EUR bis 0.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTR0202PLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V |
auf Bestellung 20428 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTR0202PLT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET -20V -400mA P-Channel |
auf Bestellung 82623 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NTR0202PLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR0202PLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 14505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR0202PLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTR0202PLT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTR0202PLT1G SMD P channel transistors |
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