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NTR0202PLT1G

NTR0202PLT1G ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABD57F79D57B80D3&compId=NTR0202PL.PDF?ci_sign=c89bac867850fdce5262bd307008ebf3c1178ec0 Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -400mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
531+0.13 EUR
667+0.11 EUR
823+0.087 EUR
910+0.079 EUR
1707+0.042 EUR
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Mindestbestellmenge: 531
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Technische Details NTR0202PLT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NTR0202PLT1G nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.77 EUR

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NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABD57F79D57B80D3&compId=NTR0202PL.PDF?ci_sign=c89bac867850fdce5262bd307008ebf3c1178ec0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -400mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.18nC
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Anzahl Preis
531+0.13 EUR
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1806+0.04 EUR
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NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Hersteller : onsemi ntr0202pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Hersteller : onsemi ntr0202pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
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Anzahl Preis
27+0.67 EUR
35+0.52 EUR
100+0.31 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Hersteller : onsemi NTR0202PL_D-1814328.pdf MOSFETs -20V -400mA P-Channel
auf Bestellung 93442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.77 EUR
10+0.49 EUR
100+0.26 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr0202pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Hersteller : ONSEMI ntr0202pl-d.pdf Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Hersteller : ONSEMI ntr0202pl-d.pdf Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
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Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr0202pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Hersteller : ONSEMI ntr0202pl-d.pdf Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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