Produkte > ONSEMI > NTR1P02LT3G
NTR1P02LT3G

NTR1P02LT3G onsemi

ntr1p02lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTR1P02LT3G onsemi

Description: ONSEMI - NTR1P02LT3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NTR1P02LT3G nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G ON Semiconductor ntr1p02lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+0.63 EUR
397+0.43 EUR
443+0.38 EUR
522+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
15000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G onsemi ntr1p02lt1-d.pdf MOSFETs PFET SOT23 20V .160R
auf Bestellung 17398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.37 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
20000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G onsemi ntr1p02lt1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
39+0.55 EUR
100+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G ONSEMI 4413405.pdf Description: ONSEMI - NTR1P02LT3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 31135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.86 EUR
589+0.39 EUR
1086+0.2 EUR
1270+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G ONSEMI 4413405.pdf Description: ONSEMI - NTR1P02LT3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 31135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.86 EUR
589+0.39 EUR
1086+0.2 EUR
1270+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G ON Semiconductor ntr1p02lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.87 EUR
266+0.63 EUR
278+0.58 EUR
397+0.39 EUR
443+0.33 EUR
522+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
NTR1P02LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
277+0.63 EUR
397+0.43 EUR
443+0.38 EUR
522+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
15000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
NTR1P02LT3G
Hersteller: onsemi
MOSFETs PFET SOT23 20V .160R
auf Bestellung 17398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.74 EUR
10+0.37 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
20000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
NTR1P02LT3G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.77 EUR
39+0.55 EUR
100+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G 4413405.pdf
NTR1P02LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR1P02LT3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 31135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
293+0.86 EUR
589+0.39 EUR
1086+0.2 EUR
1270+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G 4413405.pdf
NTR1P02LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR1P02LT3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 31135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
293+0.86 EUR
589+0.39 EUR
1086+0.2 EUR
1270+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
NTR1P02LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.87 EUR
266+0.63 EUR
278+0.58 EUR
397+0.39 EUR
443+0.33 EUR
522+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH