NTR1P02T1G
Produktcode: 152476
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR1P02T1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V |
auf Bestellung 56000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR1P02T1G | onsemi |
MOSFETs -20V -1A P-Channel |
auf Bestellung 106019 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR1P02T1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V |
auf Bestellung 56457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR1P02T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
auf Bestellung 8699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR1P02T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
auf Bestellung 8699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR1P02T1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTR1P02T1G | ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 280mOhm; 1A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02T3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTR1P02T1G | ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 280mOhm; 1A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02T3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTR1P02T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| NTR1P02T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| NTR1P02T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| NTR1P02T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 9000+ | 0.27 EUR |
| 27000+ | 0.26 EUR |
| NTR1P02T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 424+ | 0.42 EUR |
| 562+ | 0.31 EUR |
| 568+ | 0.3 EUR |
| NTR1P02T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 339+ | 0.52 EUR |
| 759+ | 0.23 EUR |
| 887+ | 0.19 EUR |
| 1190+ | 0.13 EUR |
| 1352+ | 0.11 EUR |
| 3000+ | 0.1 EUR |
| NTR1P02T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.89 EUR |
| 306+ | 0.56 EUR |
| 424+ | 0.39 EUR |
| 562+ | 0.29 EUR |
| 568+ | 0.27 EUR |
| NTR1P02T1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs -20V -1A P-Channel
MOSFETs -20V -1A P-Channel
auf Bestellung 106019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.95 EUR |
| 10+ | 0.43 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
| NTR1P02T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 5 V
auf Bestellung 56457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 0.99 EUR |
| 35+ | 0.61 EUR |
| 50+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| NTR1P02T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 8699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 179+ | 1.4 EUR |
| 402+ | 0.58 EUR |
| 459+ | 0.46 EUR |
| 610+ | 0.36 EUR |
| 1500+ | 0.29 EUR |
| NTR1P02T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 8699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 179+ | 1.4 EUR |
| 402+ | 0.58 EUR |
| 459+ | 0.46 EUR |
| 610+ | 0.36 EUR |
| 1500+ | 0.29 EUR |
| NTR1P02T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTR1P02T1G |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 280mOhm; 1A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02T3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 280mOhm; 1A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02T3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.27 EUR |
| NTR1P02T1G |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 280mOhm; 1A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02T3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 280mOhm; 1A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02T3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.33 EUR |





