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NTR2101PT1G

ntr2101p-d.pdf
Produktcode: 85974
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3272+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3272 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G onsemi ntr2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI 2310584.pdf Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.57 EUR
480+0.36 EUR
645+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+0.57 EUR
483+0.35 EUR
649+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.57 EUR
478+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI ntr2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.68 EUR
161+0.54 EUR
187+0.45 EUR
272+0.31 EUR
319+0.26 EUR
391+0.21 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G ON Semiconductor ntr2101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.92 EUR
303+0.56 EUR
306+0.52 EUR
478+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G onsemi ntr2101p-d.pdf MOSFETs -8V 3.7A P-Channel
auf Bestellung 69425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.55 EUR
100+0.32 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G onsemi ntr2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI 2310584.pdf Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 58207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
384+0.61 EUR
519+0.42 EUR
685+0.31 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI 2310584.pdf Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 58207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
384+0.61 EUR
519+0.42 EUR
685+0.31 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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NTR2101PT1G ntr2101pd.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3272+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3272 Stücke
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NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR2101PT1G ntr2101pd.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR2101PT1G 2310584.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR2101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
302+0.57 EUR
480+0.36 EUR
645+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
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NTR2101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
304+0.57 EUR
483+0.35 EUR
649+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
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NTR2101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
306+0.57 EUR
478+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
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NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+0.68 EUR
161+0.54 EUR
187+0.45 EUR
272+0.31 EUR
319+0.26 EUR
391+0.21 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR2101PT1G ntr2101pd.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
191+0.92 EUR
303+0.56 EUR
306+0.52 EUR
478+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
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NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs -8V 3.7A P-Channel
auf Bestellung 69425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.99 EUR
10+0.55 EUR
100+0.32 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR2101PT1G 2310584.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 58207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
204+1.23 EUR
384+0.61 EUR
519+0.42 EUR
685+0.31 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR2101PT1G 2310584.pdf
NTR2101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 58207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
204+1.23 EUR
384+0.61 EUR
519+0.42 EUR
685+0.31 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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