NTR2101PT1G
Produktcode: 85974
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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NTR2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -8V Drain current: -3A On-state resistance: 52mΩ Power dissipation: 0.96W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs -8V 3.7A P-Channel |
auf Bestellung 77497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V |
auf Bestellung 24616 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR2101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |