NTR3A052PZT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243 pF @ 4 V
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 0.77 EUR |
| 27+ | 0.66 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
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Technische Details NTR3A052PZT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTR3A052PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 720mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 720mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.
Weitere Produktangebote NTR3A052PZT1G nach Preis ab 0.25 EUR bis 0.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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NTR3A052PZT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET PFET SOT23 20V 52MO |
auf Bestellung 28423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR3A052PZT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR3A052PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 720mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR3A052PZT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR3A052PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 720mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 720mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
auf Bestellung 8643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR3A052PZT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR3A052PZT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243 pF @ 4 V |
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