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NTR3C21NZT3G

NTR3C21NZT3G onsemi

ntr3c21nz-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V
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Technische Details NTR3C21NZT3G onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NTR3C21NZT3G NTR3C21NZT3G Hersteller : ON Semiconductor ntr3c21nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR3C21NZT3G Hersteller : ONSEMI NTR3C21NZ-D.PDF Description: ONSEMI - NTR3C21NZT3G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V
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