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NTR4101PT1G

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Produktcode: 41668
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 56424 Stücke:
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3330 Stücke:
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839+0.2 EUR
1263+0.13 EUR
1365+0.12 EUR
1437+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 839 Stücke
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 56424 Stücke:
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622+0.29 EUR
892+0.19 EUR
937+0.17 EUR
1409+0.11 EUR
1452+0.1 EUR
1891+0.076 EUR
1902+0.071 EUR
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3330 Stücke:
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799+0.21 EUR
839+0.19 EUR
1263+0.12 EUR
1301+0.11 EUR
1365+0.1 EUR
1437+0.095 EUR
3000+0.09 EUR
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ONSEMI ntr4101.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.5nC
auf Bestellung 6696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.51 EUR
220+0.39 EUR
248+0.35 EUR
329+0.26 EUR
368+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
1500+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.7 EUR
415+0.4 EUR
635+0.25 EUR
845+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ONSEMI 2255278.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
503+0.46 EUR
637+0.33 EUR
800+0.26 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G onsemi ntr4101p-d.pdf MOSFETs -20V -3.2A P-Channel
auf Bestellung 94555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
auf Bestellung 17756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G ONSEMI ntr4101p-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 36545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.84 EUR
470+0.5 EUR
618+0.35 EUR
814+0.26 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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NTR4101PT1G ON-Semiconductor ntr4101p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4101PT1G TNTR4101p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 56424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1409+0.12 EUR
1452+0.12 EUR
1891+0.089 EUR
1902+0.086 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.083 EUR
15000+0.081 EUR
30000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4412+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4412 Stücke
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NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4412+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4412+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
12000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
839+0.2 EUR
1263+0.13 EUR
1365+0.12 EUR
1437+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 839 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 56424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
622+0.29 EUR
892+0.19 EUR
937+0.17 EUR
1409+0.11 EUR
1452+0.1 EUR
1891+0.076 EUR
1902+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
557+0.31 EUR
799+0.21 EUR
839+0.19 EUR
1263+0.12 EUR
1301+0.11 EUR
1365+0.1 EUR
1437+0.095 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 557 Stücke
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NTR4101PT1G ntr4101.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.5nC
auf Bestellung 6696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+0.51 EUR
220+0.39 EUR
248+0.35 EUR
329+0.26 EUR
368+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
1500+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
248+0.7 EUR
415+0.4 EUR
635+0.25 EUR
845+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G 2255278.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.73 EUR
503+0.46 EUR
637+0.33 EUR
800+0.26 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs -20V -3.2A P-Channel
auf Bestellung 94555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
auf Bestellung 17756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+0.82 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 36545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
295+0.84 EUR
470+0.5 EUR
618+0.35 EUR
814+0.26 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4101PT1G TNTR4101p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH