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NTR4101PT1G

NTR4101PT1G ON Semiconductor

ntr4101p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NTR4101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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NTR4101PT1G NTR4101PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G Hersteller : onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G Hersteller : ONSEMI ntr4101.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.21W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
204+0.35 EUR
240+0.30 EUR
355+0.20 EUR
397+0.18 EUR
414+0.17 EUR
568+0.13 EUR
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G Hersteller : ONSEMI ntr4101.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.21W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 1505 Stücke:
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Produktcode: 41668
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G Hersteller : onsemi NTR4101P_D-1814409.pdf MOSFETs -20V -3.2A P-Channel
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G Hersteller : onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
auf Bestellung 54853 Stücke:
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28+0.63 EUR
44+0.40 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.16 EUR
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G Hersteller : ONSEMI 2255278.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48774 Stücke:
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G Hersteller : ONSEMI 2255278.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTR4101PT1G Hersteller : ON-Semicoductor ntr4101p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4101PT1G TNTR4101p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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NTR4101PT1G NTR4101PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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