NTR4101PT1H ON Semiconductor
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Technische Details NTR4101PT1H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTR4101PT1H nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTR4101PT1H | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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NTR4101PT1H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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NTR4101PT1H | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V |
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NTR4101PT1H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR4101PT1H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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NTR4101PT1H | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PFET SOT23 20V 32A 85MO |
auf Bestellung 8534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR4101PT1H | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V |
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NTR4101PT1H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NTR4101PT1H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR4101PT1H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NTR4101PT1H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR4101PT1H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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