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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI ntr4170n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
209+0.34 EUR
247+0.29 EUR
358+0.2 EUR
407+0.18 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11500 Stücke:
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520+0.28 EUR
814+0.17 EUR
847+0.16 EUR
855+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 520
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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12000+0.14 EUR
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI ONSM-S-A0011214882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.069 EUR
6000+0.066 EUR
9000+0.063 EUR
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12880 Stücke:
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11500 Stücke:
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291+0.5 EUR
515+0.27 EUR
520+0.26 EUR
814+0.16 EUR
847+0.15 EUR
855+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.08 EUR
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
209+0.34 EUR
247+0.29 EUR
358+0.2 EUR
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NTR4170NT1G 2354103.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12880 Stücke:
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NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
520+0.28 EUR
814+0.17 EUR
847+0.16 EUR
855+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 520
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NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4170NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
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Anzahl Preis
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NTR4170NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12880 Stücke:
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NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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6000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 291
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NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
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