NTR4170NT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTR4170NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTR4170NT1G nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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NTR4170NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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NTR4170NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V |
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NTR4170NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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NTR4170NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR4170NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V |
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NTR4170NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR |
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NTR4170NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR4170NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTR4170NT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTR4170NT1G SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2505 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTR4170NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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