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NTR4170NT1G

NTR4170NT1G ON Semiconductor

ntr4170n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NTR4170NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 480mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G onsemi ntr4170n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
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6000+0.2 EUR
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15000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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580+0.31 EUR
804+0.21 EUR
1093+0.15 EUR
1234+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 580 Stücke
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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501+0.35 EUR
580+0.29 EUR
804+0.2 EUR
812+0.19 EUR
1093+0.13 EUR
1234+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.095 EUR
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G onsemi ntr4170n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
auf Bestellung 27673 Stücke:
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22+0.99 EUR
35+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G onsemi ntr4170n-d.pdf MOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 480mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 17311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
422+0.55 EUR
484+0.44 EUR
642+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 480mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 17311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
422+0.55 EUR
484+0.44 EUR
642+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI ntr4170n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.083 EUR
3125+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
824+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 824 Stücke
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NTR4170NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
15000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
580+0.31 EUR
804+0.21 EUR
1093+0.15 EUR
1234+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
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NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1558+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1558 Stücke
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NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
336+0.54 EUR
501+0.35 EUR
580+0.29 EUR
804+0.2 EUR
812+0.19 EUR
1093+0.13 EUR
1234+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
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NTR4170NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
auf Bestellung 27673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+0.99 EUR
35+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR
auf Bestellung 211650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.06 EUR
10+0.48 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NTR4170NT1G 2354103.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 480mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 17311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
204+1.23 EUR
422+0.55 EUR
484+0.44 EUR
642+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4170NT1G 2354103.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 480mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 17311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
204+1.23 EUR
422+0.55 EUR
484+0.44 EUR
642+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH