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NTR4171PT1G

NTR4171PT1G ON Semiconductor

ntr4171p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NTR4171PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : onsemi ntr4171p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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321+0.46 EUR
420+0.34 EUR
428+0.32 EUR
537+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 321
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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251+0.59 EUR
303+0.47 EUR
321+0.43 EUR
420+0.31 EUR
428+0.30 EUR
537+0.23 EUR
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3000+0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 251
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : ONSEMI NTR4171P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 315 Stücke:
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Anzahl Preis
107+0.67 EUR
151+0.47 EUR
175+0.41 EUR
197+0.36 EUR
304+0.24 EUR
315+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : ONSEMI NTR4171P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 315 Stücke:
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151+0.47 EUR
175+0.41 EUR
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315+0.23 EUR
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : onsemi NTR4171P_D-2319354.pdf MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
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10+0.63 EUR
100+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : onsemi ntr4171p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
auf Bestellung 18249 Stücke:
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Anzahl Preis
17+1.07 EUR
26+0.69 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : ONSEMI 2354112.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3319 Stücke:
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : ONSEMI 681551.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3319 Stücke:
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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