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NTR4501NT1G

NTR4501NT1G ON Semiconductor

ntr4501n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Technische Details NTR4501NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4501NT1G NTR4501NT1G ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4501NT1G NTR4501NT1G onsemi ntr4501n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI 2255289.pdf Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4501NT1G NTR4501NT1G ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
878+0.2 EUR
887+0.19 EUR
926+0.18 EUR
1058+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 878 Stücke
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NTR4501NT1G NTR4501NT1G ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13808 Stücke:
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367+0.48 EUR
612+0.27 EUR
624+0.26 EUR
878+0.18 EUR
887+0.17 EUR
926+0.15 EUR
1058+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI 2255289.pdf Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 71337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
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807+0.26 EUR
1500+0.23 EUR
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NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI ntr4501n-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Mindestbestellmenge: 336 Stücke
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NTR4501NT1G NTR4501NT1G onsemi ntr4501n-d.pdf MOSFETs 20V 3.2A N-Channel
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10+0.48 EUR
100+0.3 EUR
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1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTR4501NT1G NTR4501NT1G onsemi ntr4501n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
auf Bestellung 49492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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NTR4501NT1G ON-Semiconductor ntr4501n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NTR4501NT3G (10000/reel) NTR4501NT1G TNTR4501n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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NTR4501NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.095 EUR
9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4501NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4501NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
878+0.2 EUR
887+0.19 EUR
926+0.18 EUR
1058+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 878 Stücke
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NTR4501NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
367+0.48 EUR
612+0.27 EUR
624+0.26 EUR
878+0.18 EUR
887+0.17 EUR
926+0.15 EUR
1058+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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NTR4501NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 71337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
350+0.71 EUR
582+0.4 EUR
807+0.26 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 68985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
336+0.75 EUR
596+0.39 EUR
788+0.27 EUR
807+0.26 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTR4501NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 20V 3.2A N-Channel
auf Bestellung 149811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.77 EUR
10+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
auf Bestellung 49492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+0.83 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NTR4501NT3G (10000/reel) NTR4501NT1G TNTR4501n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH