NTR5198NLT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTR5198NLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTR5198NLT1G nach Preis ab 0.087 EUR bis 0.67 EUR
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Preis | ||||||||||||||||||
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NTR5198NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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NTR5198NLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V |
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NTR5198NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.6A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 155mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 5580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR5198NLT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH |
auf Bestellung 30191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR5198NLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V |
auf Bestellung 54240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR5198NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR5198NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 60541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR5198NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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