Produkte > ONSEMI > NTR5198NLT1G
NTR5198NLT1G

NTR5198NLT1G onsemi


ntr5198nl-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V
auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
9000+0.09 EUR
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTR5198NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote NTR5198NLT1G nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5198nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
33000+0.13 EUR
66000+0.12 EUR
99000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5198nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
487+0.30 EUR
897+0.16 EUR
905+0.15 EUR
914+0.14 EUR
1136+0.11 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 487
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5198nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
339+0.44 EUR
479+0.30 EUR
487+0.28 EUR
897+0.15 EUR
905+0.14 EUR
914+0.13 EUR
1136+0.10 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 339
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : onsemi NTR5198NL_D-2319294.pdf MOSFETs Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 39765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.49 EUR
10+0.32 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : onsemi ntr5198nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V
auf Bestellung 36932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+0.58 EUR
56+0.32 EUR
100+0.20 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ONSEMI 2354462.pdf Description: ONSEMI - NTR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 111579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G Hersteller : ONSEMI ntr5198nl-d.pdf NTR5198NLT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 3194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.48 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5198nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5198nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH