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NTS2101PT1G

NTS2101PT1G ON Semiconductor

nts2101p-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details NTS2101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS2101PT1G NTS2101PT1G ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS2101PT1G NTS2101PT1G ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS2101PT1G NTS2101PT1G onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
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377+0.46 EUR
612+0.29 EUR
618+0.27 EUR
715+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
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NTS2101PT1G NTS2101PT1G ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
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290+0.61 EUR
375+0.45 EUR
377+0.43 EUR
612+0.25 EUR
618+0.24 EUR
715+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
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NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18575 Stücke:
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362+0.69 EUR
496+0.46 EUR
521+0.42 EUR
663+0.32 EUR
1500+0.29 EUR
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NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18575 Stücke:
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362+0.69 EUR
496+0.46 EUR
521+0.42 EUR
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NTS2101PT1G NTS2101PT1G onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
auf Bestellung 45895 Stücke:
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21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
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NTS2101PT1G NTS2101PT1G onsemi nts2101p-d.pdf MOSFETs -8V -1.4A P-Channel
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4+1.05 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
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NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
On-state resistance: 0.1Ω
auf Bestellung 34 Stücke:
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34+2.5 EUR
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NTS2101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.19 EUR
6000+0.14 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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10000+0.18 EUR
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NTS2101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
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3139+0.2 EUR
10000+0.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 3139 Stücke
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NTS2101PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTS2101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 8821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
377+0.46 EUR
612+0.29 EUR
618+0.27 EUR
715+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 8821 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
290+0.61 EUR
375+0.45 EUR
377+0.43 EUR
612+0.25 EUR
618+0.24 EUR
715+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
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NTS2101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
362+0.69 EUR
496+0.46 EUR
521+0.42 EUR
663+0.32 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
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NTS2101PT1G ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTS2101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18575 Stücke:
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362+0.69 EUR
496+0.46 EUR
521+0.42 EUR
663+0.32 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
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NTS2101PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
auf Bestellung 45895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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Hersteller: onsemi
MOSFETs -8V -1.4A P-Channel
auf Bestellung 11470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.05 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTS2101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
On-state resistance: 0.1Ω
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH