NTS2101PT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
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Technische Details NTS2101PT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 290mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTS2101PT1G nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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NTS2101PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V |
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NTS2101PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET -8V -1.4A P-Channel |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 290mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 290mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 30520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Power dissipation: 0.29W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: SC70; SOT323 Drain-source voltage: -8V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Power dissipation: 0.29W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: SC70; SOT323 Drain-source voltage: -8V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET |
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