Produkte > ON SEMICONDUCTOR > NTS2101PT1G
NTS2101PT1G

NTS2101PT1G ON Semiconductor


nts2101p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTS2101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NTS2101PT1G nach Preis ab 0.10 EUR bis 0.70 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3746+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3746
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3746+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3746
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 8821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
377+0.39 EUR
612+0.23 EUR
618+0.22 EUR
715+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 377
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 8821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
290+0.51 EUR
375+0.38 EUR
377+0.36 EUR
612+0.22 EUR
618+0.21 EUR
715+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 290
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : onsemi nts2101p-d.pdf MOSFETs -8V -1.4A P-Channel
auf Bestellung 43251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.70 EUR
10+0.48 EUR
100+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Hersteller : ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH