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Technische Details NTS2101PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTS2101PT1G nach Preis ab 0.096 EUR bis 0.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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NTS2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.1Ω Power dissipation: 0.29W Gate-source voltage: ±8V Case: SC70; SOT323 |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs -8V -1.4A P-Channel |
auf Bestellung 15851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 8821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 8821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V |
auf Bestellung 40442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 19735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 19735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTS2101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |