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Technische Details NTS4101PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 329mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 329mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTS4101PT1G nach Preis ab 0.097 EUR bis 1.71 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTS4101PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 329mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Power dissipation: 0.329W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Gate charge: 6.4nC Case: SC70; SOT323 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Power dissipation: 0.329W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Gate charge: 6.4nC Case: SC70; SOT323 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: P-MOSFET |
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NTS4101PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 329mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V |
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NTS4101PT1G | Hersteller : onsemi | MOSFET -20V -1.37A P-Channel |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 329mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV euEccn: NLR Verlustleistung: 329mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 329mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 54344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor | MOSFET Power, Single, P-Channel |
auf Bestellung 264000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 20V 1.37A 120mΩ 329mW NTS4101PT1G TNTS4101pt1g Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor | MOSFET Power, Single, P-Channel |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor | MOSFET Power, Single, P-Channel |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor | MOSFET Power, Single, P-Channel |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor | MOSFET Power, Single, P-Channel |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor | MOSFET Power, Single, P-Channel |
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NTS4101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor | MOSFET Power, Single, P-Channel |
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