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NTS4101PT1G

NTS4101PT1G ON Semiconductor

nts4101pd.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 588000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4839+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
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Technische Details NTS4101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV, Verlustleistung: 329mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ON Semiconductor nts4101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 882000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4839+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
100000+0.098 EUR
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NTS4101PT1G NTS4101PT1G onsemi nts4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
auf Bestellung 20500 Stücke:
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3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTS4101PT1G NTS4101PT1G ON Semiconductor nts4101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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3000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTS4101PT1G NTS4101PT1G ON Semiconductor nts4101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
403+0.43 EUR
645+0.26 EUR
876+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 403 Stücke
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NTS4101PT1G NTS4101PT1G ON Semiconductor nts4101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+0.44 EUR
641+0.26 EUR
872+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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NTS4101PT1G NTS4101PT1G ONSEMI NTS4101P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.329W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.55 EUR
209+0.4 EUR
249+0.35 EUR
388+0.21 EUR
463+0.18 EUR
640+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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NTS4101PT1G NTS4101PT1G onsemi nts4101p-d.pdf MOSFETs -20V -1.37A P-Channel
auf Bestellung 17976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.38 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTS4101PT1G NTS4101PT1G onsemi nts4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
auf Bestellung 20816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
61+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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NTS4101PT1G NTS4101PT1G ONSEMI 2160709.pdf Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
Verlustleistung: 329mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 73372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
541+0.43 EUR
834+0.26 EUR
1076+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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NTS4101PT1G NTS4101PT1G ONSEMI 2160709.pdf Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
Verlustleistung: 329mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 73372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
541+0.43 EUR
834+0.26 EUR
1076+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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NTS4101PT1G ON-Semiconductor nts4101p-d.pdf P-MOSFET 20V 1.37A 120mΩ 329mW NTS4101PT1G TNTS4101pt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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NTS4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 882000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4839+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
100000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 4839 Stücke
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NTS4101PT1G nts4101p-d.pdf
NTS4101PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
auf Bestellung 20500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTS4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTS4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
403+0.43 EUR
645+0.26 EUR
876+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 403 Stücke
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NTS4101PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+0.44 EUR
641+0.26 EUR
872+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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NTS4101PT1G NTS4101P.PDF
NTS4101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.329W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
157+0.55 EUR
209+0.4 EUR
249+0.35 EUR
388+0.21 EUR
463+0.18 EUR
640+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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NTS4101PT1G nts4101p-d.pdf
NTS4101PT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs -20V -1.37A P-Channel
auf Bestellung 17976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.69 EUR
10+0.38 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4101PT1G nts4101p-d.pdf
NTS4101PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
auf Bestellung 20816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
61+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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NTS4101PT1G 2160709.pdf
NTS4101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
Verlustleistung: 329mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 73372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.83 EUR
541+0.43 EUR
834+0.26 EUR
1076+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4101PT1G 2160709.pdf
NTS4101PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
Verlustleistung: 329mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 73372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.83 EUR
541+0.43 EUR
834+0.26 EUR
1076+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4101PT1G nts4101p-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
P-MOSFET 20V 1.37A 120mΩ 329mW NTS4101PT1G TNTS4101pt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH