NTTFD4D0N04HLTWG onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.4 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.35 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
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Technische Details NTTFD4D0N04HLTWG onsemi
Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 26W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WQFN, Anzahl der Pins: 12Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 26W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTTFD4D0N04HLTWG nach Preis ab 1.36 EUR bis 3.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NTTFD4D0N04HLTWG | Hersteller : onsemi |
MOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL |
auf Bestellung 3348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTTFD4D0N04HLTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 26W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WQFN Anzahl der Pins: 12Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTTFD4D0N04HLTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 26W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WQFN Anzahl der Pins: 12Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTTFD4D0N04HLTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 12-Pin WQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTTFD4D0N04HLTWG | Hersteller : ONSEMI |
NTTFD4D0N04HLTWG Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTTFD4D0N04HLTWG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3) Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |