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Technische Details NTTFD9D0N06HLTWG onsemi
Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 26W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WQFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 26W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTTFD9D0N06HLTWG nach Preis ab 2.36 EUR bis 4.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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NTTFD9D0N06HLTWG | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH PPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3) Part Status: Active |
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NTTFD9D0N06HLTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 26W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WQFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NTTFD9D0N06HLTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 26W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WQFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NTTFD9D0N06HLTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 12-Pin WQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTTFD9D0N06HLTWG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3) Part Status: Active |
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