NTTFD9D0N06HLTWG ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.33 EUR |
| 500+ | 2.02 EUR |
| 1000+ | 1.96 EUR |
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Technische Details NTTFD9D0N06HLTWG ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 26W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WQFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 26W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTTFD9D0N06HLTWG nach Preis ab 1.75 EUR bis 5.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTTFD9D0N06HLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 26W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WQFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTTFD9D0N06HLTWG | onsemi |
MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL |
auf Bestellung 1631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTTFD9D0N06HLTWG | onsemi |
Description: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH PPart Status: Active Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 12-PowerWQFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTTFD9D0N06HLTWG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 4.5 EUR |
| 73+ | 3.18 EUR |
| 100+ | 2.33 EUR |
| 500+ | 2.02 EUR |
| 1000+ | 1.96 EUR |
| NTTFD9D0N06HLTWG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.07 EUR |
| 10+ | 3.28 EUR |
| 100+ | 2.26 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| 1000+ | 1.83 EUR |
| 3000+ | 1.75 EUR |
| NTTFD9D0N06HLTWG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.93 EUR |
| 10+ | 4.93 EUR |
| 100+ | 3.92 EUR |
| 500+ | 3.32 EUR |
| 1000+ | 2.81 EUR |

