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NTTFS4C08NTAG

NTTFS4C08NTAG onsemi

nttfs4c08n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
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Technische Details NTTFS4C08NTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG ONSEMI ONSM-S-A0007316266-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG ON Semiconductor nttfs4c08n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.76 EUR
236+0.75 EUR
245+0.7 EUR
254+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG ON Semiconductor nttfs4c08n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.83 EUR
235+0.74 EUR
236+0.7 EUR
245+0.65 EUR
254+0.61 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
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NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG onsemi nttfs4c08n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
auf Bestellung 5133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG onsemi nttfs4c08n-d.pdf MOSFETs Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG ONSEMI nttfs4c08n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 52A; Idm: 144A; 25.5W; WDFN8
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 25.5W
Gate charge: 18.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTTFS4C08NTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: Y-EX
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTTFS4C08NTAG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
235+0.76 EUR
236+0.75 EUR
245+0.7 EUR
254+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2949 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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235+0.74 EUR
236+0.7 EUR
245+0.65 EUR
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Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
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MOSFETs Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.57 EUR
10+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 52A; Idm: 144A; 25.5W; WDFN8
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 25.5W
Gate charge: 18.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 2990 Stücke:
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