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NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G onsemi

ntzd3152p-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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Technische Details NTZD3152PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Hersteller : onsemi ntzd3152p-d.pdf MOSFETs -20V -430mA Dual P-Channel
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NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Hersteller : onsemi ntzd3152p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntzd3152p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
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NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Hersteller : ONSEMI 2338001.pdf Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTZD3152PT1G Hersteller : ONSEMI ntzd3152p-d.pdf NTZD3152PT1G Multi channel transistors
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NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntzd3152p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
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