NTZD3155CT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTZD3155CT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTZD3155CT1G nach Preis ab 0.087 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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NTZD3155CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
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NTZD3155CT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
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NTZD3155CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTZD3155CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Case: SOT563F Polarisation: unipolar Gate charge: 1.5/1.7nC Power dissipation: 0.25W Drain current: 0.39/-0.31A On-state resistance: 400/500mΩ Gate-source voltage: ±6V Drain-source voltage: 20/-20V Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTZD3155CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Case: SOT563F Polarisation: unipolar Gate charge: 1.5/1.7nC Power dissipation: 0.25W Drain current: 0.39/-0.31A On-state resistance: 400/500mΩ Gate-source voltage: ±6V Drain-source voltage: 20/-20V Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel; tape |
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NTZD3155CT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD |
auf Bestellung 37496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTZD3155CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 135750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTZD3155CT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
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NTZD3155CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
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NTZD3155CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NTZD3155CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 26533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTZD3155CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 196000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTZD3155CT1G | Hersteller : On Semiconductor |
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |




