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NTZD3155CT1G

NTZD3155CT1G ON Semiconductor

ntzd3155c-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details NTZD3155CT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
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NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
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NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
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514+0.33 EUR
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971+0.17 EUR
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NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ONSEMI 2160832.pdf Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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273+0.92 EUR
391+0.6 EUR
610+0.36 EUR
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2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ONSEMI 2160832.pdf Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17293 Stücke:
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391+0.6 EUR
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NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G onsemi ntzd3155c-d.pdf MOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
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2000+0.25 EUR
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NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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20+1.07 EUR
32+0.65 EUR
50+0.48 EUR
100+0.42 EUR
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NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
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NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ONSEMI NTZD3155C-DTE.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of transistor: complementary pair
Gate-source voltage: ±6V
auf Bestellung 7 Stücke:
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NTZD3155CT1G On Semiconductor ntzd3155c-d.pdf NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Транзистори
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NTZD3155CT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 104000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4000+0.14 EUR
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NTZD3155CT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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NTZD3155CT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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NTZD3155CT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 139650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
302+0.6 EUR
514+0.33 EUR
823+0.2 EUR
971+0.17 EUR
1068+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
4000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
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NTZD3155CT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
273+0.92 EUR
391+0.6 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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NTZD3155CT1G 2160832.pdf
NTZD3155CT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
273+0.92 EUR
391+0.6 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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NTZD3155CT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
auf Bestellung 16830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.02 EUR
10+0.46 EUR
100+0.36 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NTZD3155CT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 6012 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
20+1.07 EUR
32+0.65 EUR
50+0.48 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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NTZD3155CT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTZD3155CT1G NTZD3155C-DTE.PDF
NTZD3155CT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of transistor: complementary pair
Gate-source voltage: ±6V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
Hersteller: On Semiconductor
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH