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NTZD3155CT2G

NTZD3155CT2G ON Semiconductor

ntzd3155c-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Technische Details NTZD3155CT2G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
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NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 480000 Stücke:
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5425+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
100000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 5425 Stücke
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NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 13560 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5425 Stücke
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NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ONSEMI ntzd3155c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain current: 0.39/-0.31A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±6V
auf Bestellung 3459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.52 EUR
250+0.35 EUR
325+0.26 EUR
472+0.18 EUR
610+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 676 Stücke:
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291+0.61 EUR
470+0.36 EUR
475+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
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NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G onsemi ntzd3155c-d.pdf MOSFETs COMP 540mA 20V
auf Bestellung 55077 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ONSEMI ONSM-S-A0013300566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.88 EUR
468+0.5 EUR
747+0.29 EUR
991+0.21 EUR
1136+0.19 EUR
5000+0.13 EUR
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NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ONSEMI ONSM-S-A0013300566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.88 EUR
468+0.5 EUR
747+0.29 EUR
991+0.21 EUR
1136+0.19 EUR
5000+0.13 EUR
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NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 676 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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NTZD3155CT2G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.12 EUR
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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NTZD3155CT2G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 480000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5425+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
100000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 5425 Stücke
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NTZD3155CT2G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 13560 Stücke:
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5425+0.12 EUR
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NTZD3155CT2G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain current: 0.39/-0.31A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±6V
auf Bestellung 3459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+0.52 EUR
250+0.35 EUR
325+0.26 EUR
472+0.18 EUR
610+0.14 EUR
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NTZD3155CT2G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
291+0.61 EUR
470+0.36 EUR
475+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
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NTZD3155CT2G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 36 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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NTZD3155CT2G
Hersteller: onsemi
MOSFETs COMP 540mA 20V
auf Bestellung 55077 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTZD3155CT2G ONSM-S-A0013300566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTZD3155CT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
283+0.88 EUR
468+0.5 EUR
747+0.29 EUR
991+0.21 EUR
1136+0.19 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
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NTZD3155CT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
283+0.88 EUR
468+0.5 EUR
747+0.29 EUR
991+0.21 EUR
1136+0.19 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
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NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT2G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH