Produkte > ONSEMI > NVBG022N120M3S
NVBG022N120M3S

NVBG022N120M3S onsemi

nvbg022n120m3s-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+30.04 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVBG022N120M3S onsemi

Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 234W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NVBG022N120M3S nach Preis ab 34.41 EUR bis 76.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ONSEMI NVBG022N120M3S-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+38.15 EUR
50+37.97 EUR
100+37.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ONSEMI NVBG022N120M3S-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+47.12 EUR
10+34.68 EUR
50+34.59 EUR
100+34.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S onsemi nvbg022n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.99 EUR
10+36.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S onsemi nvbg022n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.19 EUR
10+38.06 EUR
100+36.6 EUR
500+34.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ON Semiconductor nvbg022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+59.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ON Semiconductor nvbg022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+64.58 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ON Semiconductor nvbg022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+76.3 EUR
10+70.35 EUR
25+67.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ON Semiconductor nvbg022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+76.3 EUR
10+68.83 EUR
25+64.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S ONN nvbg022n120m3s-d.pdf
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S-D.PDF
NVBG022N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+38.15 EUR
50+37.97 EUR
100+37.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S-D.PDF
NVBG022N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+47.12 EUR
10+34.68 EUR
50+34.59 EUR
100+34.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Hersteller: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+48.99 EUR
10+36.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+52.19 EUR
10+38.06 EUR
100+36.6 EUR
500+34.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Hersteller: ON Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+59.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Hersteller: ON Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+64.58 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Hersteller: ON Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+76.3 EUR
10+70.35 EUR
25+67.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Hersteller: ON Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+76.3 EUR
10+68.83 EUR
25+64.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH